基金項目：國家“863”慣性約束聚變領域贊助課題（863~416-3~3.2）3襯底地位對堆積速率的影響堆積速71994-2015ChinaAcademic 1實驗11使用反式-2-丁烯的LPP-CVD法采納LPP-CVD辦法制備CxHi-x薄膜時，通常使用反式-2-丁烯和H2為工作氣體，背景真空（包括整個管道系統）為5MPa，工作真空為12Pa，H2流量為010cm3/min，反式-2-丁烯流量為0.5cm3/min，射頻輸入功率為15W.實驗裝置示于。

　　為取得最大堆積速率，實驗鉆研了電子密度和電子溫度與氫氣流量的關系。實驗結果示于。由可見：2分壓約為3Pa時，電子密度最高，此時的電子溫度最穩定。實驗當選定H2分壓約為3Pa時，扭轉單體反式-2-丁烯的分壓停止最佳工作條件鉆研。

　　11.1射頻功率對堆積速率的影響CxH1一x薄膜的堆積速率與射頻功率的關系示于。

　　堆積速率隨功率P的增加而進步，當P>60W時，堆積速率對功率的變遷變得不敏感，趨于飽和。而且，當P>40W后，得到的CxH1-x膜脆易碎。可見：用增加RF功率來進步堆積速率是不可行的。從可看到，只管功率抵達80W，但堆積速率仍僅為1. 1.2H2含量對堆積速率的影響堆積速率與H2與反式-2-丁烯的比例有關，堆積速率隨H2含量的增加而下降。

　　率與襯底地位有關，襯底位于石英腔口附近時，可取得最大的堆積速率；位于腔口內部和外部時，有近似對稱的堆積速率。

　　由以上結果能夠看出：使用反式-2-丁烯為氣體源時，在雷同分壓下，堆積速率對輸入RF功率呈現飽和特征，大輸入功率下堆積的CxH1-x薄膜易破碎；即使在優化工藝參數下，CxHh.薄膜的堆積速率也僅約為1Pm（球面上約為0.25/%i）。以這樣的堆積速率在靶球外表上堆積50/%i以上的涂層最少需200h以上的堆積工夫，這對最終靶球涂層的光潔度及薄膜質量極為不利。進步RF頻率，使用倍頻或三倍頻，有望進步堆積速率，但目前工業用射頻電源的頻率大多采納13. 56MHz其倍頻射頻電源無市售產品；吏用脈沖微波CVD或螺旋波等離子體CVD新型等離子源可將電子密度進步2 ~3個數量級，但需更新設施。在現有設施條件下，使用反式-2-丁烯為氣體源涂敷CxHn涂層尚存在較大的技術障礙。

　　1.2使用苯乙烯的LPP-CVD法使用苯乙烯和H2為工作氣體時，氣路裝置稍需扭轉。苯乙烯為液體，須加熱并需控制與反式-2-丁烯相比，在同樣的H2分壓、H2流量和單體分壓條件下，堆積速率有較大進步。

　　實驗結果標明：當H2分壓為3.2Pa、H2流量為15cm3/min、苯乙烯分壓為5.3Pa、功率為15W時，堆積速率約為4/%i/h.這樣，在較小的RF功率下可取得較大的堆積速率，薄膜質量良好，并易在空氣中保留。中示出了堆積速率隨功率的變遷。其中，實測點與預測曲線合乎良好。

　　2剖析與探討2.1薄膜構造對別離以反式-2-丁烯和苯乙烯為氣源制薄膜停止了UV-VIS譜剖析（圖其蒸氣壓妹能取得遽定蟒氣流量。以苯乙Pu」g紫外可見磲射譜圖能夠看膈燃式-2-丁烯為氣體源制備的CxHi-x薄膜的譜圖上，在400nm以內的紫外區呈現了吸收峰，這闡明存在sp2雜化的C原子，在可見和近紅外區呈現弱的吸收包，標明存在弱的吸收；在以苯乙烯為氣體源制備的CxHi-x薄膜的譜圖上，除了在400nm以內的紫外區呈現了吸收峰外，還呈現了3個尖峰，它們表征著3個不同的化學環境。在可見和近紅外區呈現振動曲線，標明薄膜較為透明。這闡明，以兩種不同氣體源制備的CxHx薄膜構造存在著輕微差異。

　　實驗比較了在不同RF功率下苯乙烯氣體源制備的CxHi-x薄膜的透射譜。結果標明：當RF功率為15W時，制備的CxHi一x薄膜是最好的。

　　2塑料微球專用反彈盤1反彈盤（0碰了壓電陶瓷片魅震ni動源。當壓電陶瓷片兩段施加某一頻率的交變電源后，由壓電效應產活力械震動，并帶動微球在盤內跳動。實驗證實，采納玻璃制成的反彈盤具有較好的機械震動成效。

　　2.3襯底上施加偏壓表1列出了在玻璃和硅襯底上施加不同偏壓時CxHi-x薄膜的膜厚散布。當在襯底上施加100V負偏壓時，平面上的膜厚均性大為改善，且在硅片上堆積的膜厚均性最佳。

　　表1襯底上施加偏壓對膜厚平均性的影響Table1Theeffectofsubstrate 5.739注：堆積條件為H2分壓3Pa苯乙烯分壓6PaH2流量15cm3/minRF功率15W.；3塑料微球外表碳氫涂層的涂敷以苯乙烯和H2為工作氣體在H2分壓為2Pa>H2流量為15cm3/min、苯乙烯分壓為5.3Pa、RF功率為15W的優化工藝條件下，聯合反彈盤技術在塑料微球上涂敷了一層厚40~801的〔1-1涂層。在上述工藝條件下，CxHh薄膜的堆積速率約為4Mm/h.經狽試，微球外表碳氫涂層的外表均方根粗糙度