2.1.1C-H鍵的振動吸收以PMMA芯材為例，其甲基和亞甲基的振動吸收峰在紅外互相交疊，并且在近紅外至可見光波區呈現以單峰。是以PMMA為纖芯的塑料光纖損耗光譜，能看到紅外伸縮振動Viu（i：振動量子數）的高次振動吸收峰和紅外轉動振動吸收峰（S波長/ D1PWA的離次諧波振動吸收播耗光譜圖關于PMMA中C-H鍵吸收損耗的實踐計算有幾種辦法，在此介紹中的計算辦法。對C-H鍵的振動吸收做定量計算是有一個近似：認為聚合物、單體及原子對模型中同樣的鍵的吸收行為根本雷同，將C-H鍵作為獨立的非諧振子停止計算，用莫爾斯位能函數表示非諧振子的位能建設一維薛定諤方程，求出C-H鍵伸縮振動第I次諧波的頻率及吸收損耗相應為2.1.3瑞利散射損耗關于無規透明匯合物的本征瑞利散射損耗，其各項同性部分由下式計算：度八下等溫壓縮系數能夠從分子量（通過原子直徑和原子鍵長度計算）計算得出。為計算玻璃轉化溫度rg下的等溫壓縮系數，能夠利用經歷公式ru=rg+7（/t）和（i/P（d，/d；）=4.8xioV，瑞利散射與光波長的四次方成反比，因此在短波段瑞利散射比長波段相應要大。從表1的計算結果也可看出這種趨勢。試驗鉆研標明，即使在沒有摻雜的塑料光纖中，散射損耗在850nm最小也有5dB/km，在摻雜系POF中，散射損耗可達10dB/km.表2是計算得出的幾種聚合物在不同波長下的散射損耗。

　　表2.聚合物在不同波長下的散射損耗各向同性瑞利散射損耗（dB/km）波長氟化聚合物2.2.塑料光纖的非本征損耗芯材雜質引起吸收損耗，主要有過渡金屬離子在可見光波區引起的吸收最為明顯，其中Co離子在530nm、590mn、650nm顯示有最大的吸收峰，并且互相之間發作重疊引起一個大的吸收峰。Cr離子在640nm有吸收峰，也影響光纖的損耗。PMMA中還有水的吸收，在可見光譜區由于羥基（OH）伸縮振動和彎曲振動引起吸收損耗，相應與614nm，562nm和674nm處呈現吸收峰，丈量PMMA吸收水對光損耗的影響與C-H鍵的吸收強度一樣。

　　由于光纖制造工藝的起因，不可防止會呈現纖芯直徑在軸向的變遷，芯――包層界面粘合缺陷，另外光纖中還會有灰塵、氣泡、微粒，這些因素引起的散射（尺度遠大于波長長度）損耗與波長無關。其中前兩項和POF的制造工藝有關，隨著POF的鉆研深刻，其工藝日趨完好，這兩項根本已降低導下限。每個灰塵、氣泡、微粒和缺陷能形成l3dB/km左右的損耗，對聚合物本體停止蒸餾過濾，及利用本體聚合法能夠將微粒降低到最低程度。由于光纖的彎曲及芯包層界面的缺陷還會引起輻射損耗。

　　3塑料光纖損耗的測董實際中，理解光纖總損耗比曉得單個損耗因素更重要，須要對制作的塑料光纖損耗準確有效的丈量十分必要。丈量結果通常和儀器設施有關。當用LED作光源時，光纖的衰減系數與光纖長度有關，隨著間隔的增加，衰減系數變為常數。當用單色儀作光源時，這種相關性并不明顯。丈量結果還與光源注入條件有關，即與輸入光纖端面的光功率散布有關。完全注入條件下，即光源入射到光纖的整個芯徑和數值孔徑，鼓勵出很多形式，被鼓勵的所有形式具有雷同的光功率，通過光纖傳輸時，每個模具有不同的衰減系數，用光線實踐解釋，高階模經歷更屢次數的全反射，因此光程大，衰減系數大，同時，各形式之間還有能量替換一形式耦合，形式耦合也引起光損耗。

　　當傳播一定耦合長度后，各形式之間抵達平衡模散布，丈量結果不再與間隔有關。一般塑料光纖的耦合長度是20m，該值要比石英光纖小得多。要得到準確、可反復的丈量結果，光源最好是平衡模入射，利用擾頻器得到模平衡散布。

　　4降低損耗的技術POF損耗是有非本征損耗和本征損耗組成。前者包含有吸收損耗和散射損耗，通過提純芯皮材反饋物，即將反饋單體、引發劑、鏈轉移劑等采納水洗、枯燥、過濾、蒸餾等辦法提純，采納本體聚合法合成工藝，選用適宜的拉絲工藝，在凈化的環境中實現聚合并拉制塑料光纖，可顯著降低非本征損耗；而POF本征損耗是由吸收損耗和瑞利散射損耗，瑞利散射損耗同光纖芯材折射率的不平均動搖性親密相關，選用高度無定型、高透明、分子量散布窄的聚合物為芯材，可降低瑞利散射損耗。塑料光纖中的本征吸收損耗與光纖芯材料有關，POF的最重要損耗奉獻因素是C-H鍵的高次諧波在可見及紅外區域的吸收，而一般聚合物是含有大量C-H的聚合物，POF的吸收損耗同單體分子量成反比，故降低芯材C-H鍵數量是降低固有損耗的重要門路之一。為此，用較重的原子氘或氟代替其中的氫，制成氘化或氟化POF.氘化和氟化關于改善POF中C-H鍵振動吸收所致的可見光區的衰減損耗是有效的辦法。而且氟化后C-F鍵振動基頻紅移，使得POF的光學窗口紅移，從而降低瑞利散射損耗。此外氟代高分子還可降低POF對水蒸汽的吸附，并可阻止濕氣在高分子里浸透，氟化材料的采意圖味著POF技術的一大進步。但這兩種技術也存在問題，由于吸濕，氘會從新被置換成氫原子，且氘化物價格昂貴；另一方面，氟化會降低纖芯折射率，使芯層與包層C包層亦為氟聚合物）的折射率差減小，使SIPOF的彎曲損耗極度增大。為了突破這一限制，正在鉆研開發部分氟化PMMA纖芯GI-POF.1992年，用界面凝膠法制成PMMA為纖芯的GI-POF，該光纖在650mn處的損耗使110dB/km，在7001500mn范圍的損耗急劇增加，是由于C-H鍵伸縮振動的高次諧波吸收引起。

　　耗為40dB/km左右。目前，Mitsubishi公司推出的產品GH4001SIPOF光纖在650nm處的損耗是150dB/km，其芯材是PMMA，包層材料為聚乙烯。

　　5結語塑料光纖的損耗因素很多，在推廣塑料光纖的應用時，不只要從工藝和材料方面充分思考盡力降低各種損耗，制作出低損耗塑料光纖，而且也要思考到塑料光纖在特殊環境下的應用，開發特殊性能的塑料光纖。如耐熱塑料光纖，由于普通塑料光纖的耐熱性能差，在高溫環境下會發作氧化降解和損耗增大，因此開發耐熱塑料光纖進一步進步其性能顯得十分重要；另外思考在高輻射環境下（如核電站，航天器，衛星）的應用，抗輻照塑料光纖的鉆研也有重要意義，國內上海交通大學在這方面也停止了根底鉆研，獲得了一些成績8.在推廣塑料光纖網絡中，要思考的不只是性能，更重要的問題是本錢，研制價格低廉、性能牢靠的塑料光器件（包括發射機和接受機、連貫器、光開關、耦合器等）目前都面臨挑戰。